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NTJD2152PT1

NTJD2152PT1

참조 용

부품 번호 NTJD2152PT1
PNEDA 부품 번호 NTJD2152PT1
설명 MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJD2152PT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJD2152PT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTJD2152PT1, NTJD2152PT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 133.65 KB)
PDFNTJD2152PT4G 데이터 시트 표지
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NTJD2152PT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)775mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds225pF @ 8V
전력-최대270mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

94nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

2.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 기능

Logic Level Gate, 1.2V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7.1pF @ 10V

전력-최대

120mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2210pF @ 25V

전력-최대

68W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

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IXYS

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FET 유형

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75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

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