NTD4804NAT4G
참조 용
| 부품 번호 | NTD4804NAT4G |
| PNEDA 부품 번호 | NTD4804NAT4G |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,140 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTD4804NAT4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTD4804NAT4G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTD4804NAT4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14.5A (Ta), 124A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4490pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | DPAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.8A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 11.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 11.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 750pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I-PAK 패키지 / 케이스 TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 532pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.4W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Ta), 210A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62.1nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10930pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.06W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
