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NTD20N06L-001

NTD20N06L-001

참조 용

부품 번호 NTD20N06L-001
PNEDA 부품 번호 NTD20N06L-001
설명 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTD20N06L-001 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTD20N06L-001
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTD20N06L-001, NTD20N06L-001 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 143.27 KB)
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  • NTD20N06L-001 Distributor

NTD20N06L-001 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs48mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs32nC @ 5V
Vgs (최대)±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds990pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.36W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지I-PAK
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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MOSFET (Metal Oxide)

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65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

298W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

TK35E08N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

72W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

CP373-CMPDM303-CT20

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59.9mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.9V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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-

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-

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±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

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680W (Tc)

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