NTB125N02RT4G
참조 용
| 부품 번호 | NTB125N02RT4G |
| PNEDA 부품 번호 | NTB125N02RT4G |
| 설명 | MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,628 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 17 - 7월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTB125N02RT4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTB125N02RT4G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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NTB125N02RT4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 24V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 95A (Ta), 120.5A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3440pF @ 20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0.9V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 69mOhm @ 1.5A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.2nC @ 2.5V Vgs (최대) ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1010pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SC-70FL/MCPH3 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 48nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.08W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-TSSOP 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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