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NSDEMN11XV6T1

NSDEMN11XV6T1

참조 용

부품 번호 NSDEMN11XV6T1
PNEDA 부품 번호 NSDEMN11XV6T1
설명 DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT563
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,254
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSDEMN11XV6T1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSDEMN11XV6T1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
NSDEMN11XV6T1, NSDEMN11XV6T1 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 54.14 KB)
PDFNSDEMN11XV6T1G 데이터 시트 표지
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NSDEMN11XV6T1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성2 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)80V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)100mA (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 70V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-563

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Micro Commercial Co

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

165A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 300A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 1600V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D2

공급자 장치 패키지

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.15V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

MBRF60035R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 300A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 20V

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-244AB

공급자 장치 패키지

TO-244AB

88CNQ060ASM

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

640µA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

D-61-8-SM

공급자 장치 패키지

D-61-8-SM

MBRF40040

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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