NSBA115TDP6T5G
참조 용
| 부품 번호 | NSBA115TDP6T5G |
| PNEDA 부품 번호 | NSBA115TDP6T5G |
| 설명 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,696 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NSBA115TDP6T5G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NSBA115TDP6T5G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
| 데이터 시트 |
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NSBA115TDP6T5G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 100kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500nA |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | 408mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-963 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-963 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 2.2kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 80MHz 전력-최대 125mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SSMINI6-F1 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 저항-베이스 (R1) - 저항-이미 터베이스 (R2) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 - 전력-최대 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 130MHz 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 250MHz 전력-최대 100mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 150MHz 전력-최대 250mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 PG-SOT363-6 |
