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NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

참조 용

부품 번호 NGTD13T65F2WP
PNEDA 부품 번호 NGTD13T65F2WP
설명 IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTD13T65F2WP 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTD13T65F2WP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTD13T65F2WP, NGTD13T65F2WP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 98.68 KB)
PDFNGTD13T65F2WP 데이터 시트 표지
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  • NGTD13T65F2WP Distributor

NGTD13T65F2WP 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 30A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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Infineon Technologies

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

27A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 8A

전력-최대

125W

에너지 전환

1mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/440ns

테스트 조건

800V, 8A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

제조업체

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시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 14A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/265ns

테스트 조건

850V, 14A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

RJH60F4DPQ-A0#T0

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

전력-최대

235.8W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/85ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

FGA30S120P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

전력-최대

348W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

51A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

전력-최대

200W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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