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NGTB40N120IHRWG

NGTB40N120IHRWG

참조 용

부품 번호 NGTB40N120IHRWG
PNEDA 부품 번호 NGTB40N120IHRWG
설명 IGBT 1200V 80A 384W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,200
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예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB40N120IHRWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB40N120IHRWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB40N120IHRWG, NGTB40N120IHRWG 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 177.04 KB)
PDFNGTB40N120IHRWG 데이터 시트 표지
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NGTB40N120IHRWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.55V @ 15V, 40A
전력-최대384W
에너지 전환950µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/230ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.75mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

57nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/148ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGW40V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

456µJ (on), 411µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/208ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

NGTB15N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

294W

에너지 전환

1.2mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

109nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/132ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGS6N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

전력-최대

22W

에너지 전환

57µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/60ns

테스트 조건

300V, 3A, 80Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

52ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

FGB7N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 7A

전력-최대

83W

에너지 전환

99µJ (on), 104µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.9ns/32.3ns

테스트 조건

400V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

32.3ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TO-263AB (D²PAK)

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M29W320EB70ZE6E

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ADP151AUJZ-1.8-R7

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SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

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DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

74F00SC

74F00SC

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IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

MAX3208EAUB+T

MAX3208EAUB+T

Maxim Integrated

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DM74LS05N

DM74LS05N

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