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NDS9959

NDS9959

참조 용

부품 번호 NDS9959
PNEDA 부품 번호 NDS9959
설명 MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,428
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NDS9959 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDS9959
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDS9959, NDS9959 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 208.05 KB)
PDFNDS9959 데이터 시트 표지
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NDS9959 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds250pF @ 25V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1066pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

780pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

DMN2008LFU-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250A

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1418pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2030-6 (Type B)

DMC2041UFDB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

713pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

NTHD4502NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 15V

전력-최대

640mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

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