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NAND512R3A2SN6F

NAND512R3A2SN6F

참조 용

부품 번호 NAND512R3A2SN6F
PNEDA 부품 번호 NAND512R3A2SN6F
설명 IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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NAND512R3A2SN6F 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NAND512R3A2SN6F
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
NAND512R3A2SN6F, NAND512R3A2SN6F 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,004.62 KB)
PDFNAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 표지
NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 2 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 3 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 4 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 5 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 6 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 7 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 8 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 9 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 10 NAND512R3A2SZA6F 데이터 시트 페이지 11

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NAND512R3A2SN6F 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지50ns
접근 시간50ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지48-TSOP I

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-WBGA (10.5x8)

MT40A256M16LY-062E IT:F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.75ns

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (7.5x13.5)

S25FL128SAGBHV300

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

AS7C256B-15JIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

IDT71V65603S100PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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