MTB30P06VT4
참조 용
| 부품 번호 | MTB30P06VT4 |
| PNEDA 부품 번호 | MTB30P06VT4 |
| 설명 | MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,416 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MTB30P06VT4 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MTB30P06VT4 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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MTB30P06VT4 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±15V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2190pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3W (Ta), 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 750pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 630mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SOT-23-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3944pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 100W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A (Ta), 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 DTMOSIV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 690µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 300V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 130W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAK 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
