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MRFX600HR5

MRFX600HR5

참조 용

부품 번호 MRFX600HR5
PNEDA 부품 번호 MRFX600HR5
설명 TRANS LDMOS 600W 400 MHZ 65V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 8 - 7월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFX600HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFX600HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFX600HR5, MRFX600HR5 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 629.1 KB)
PDFMRFX600HR5 데이터 시트 표지
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MRFX600HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.8MHz ~ 400MHz
이득26.4dB
전압-테스트65V
전류 정격 (Amps)10µA
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력600W
전압-정격179V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.61GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

230mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

BLF544,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

960MHz

이득

7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

3.5A

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-171A

공급자 장치 패키지

CDFM6

PD57018TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

BF909,215

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

920MHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

58W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

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