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MRFE6VP6300HSR5

MRFE6VP6300HSR5

참조 용

부품 번호 MRFE6VP6300HSR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP6300HSR5
설명 FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP6300HSR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP6300HSR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP6300HSR5, MRFE6VP6300HSR5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,045.43 KB)
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MRFE6VP6300HSR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격130V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

24dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1250W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

LET9060

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

60W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

230MHz

이득

26.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.35A

전원-출력

44W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.45GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

180W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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