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MRFE6VP5300GNR1

MRFE6VP5300GNR1

참조 용

부품 번호 MRFE6VP5300GNR1
PNEDA 부품 번호 MRFE6VP5300GNR1
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,896
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6VP5300GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6VP5300GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6VP5300GNR1, MRFE6VP5300GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 25, 크기: 1,077.78 KB)
PDFMRFE6VP5300GNR1 데이터 시트 표지
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MRFE6VP5300GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득27dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격133V
패키지 / 케이스TO-270BB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4 Gull

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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주파수

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이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

100W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440162

공급자 장치 패키지

440162

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

500W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.88GHz ~ 2.03GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

22.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-1

공급자 장치 패키지

DFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.14GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

48W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

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