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MRFE6S9130HR5

MRFE6S9130HR5

참조 용

부품 번호 MRFE6S9130HR5
PNEDA 부품 번호 MRFE6S9130HR5
설명 FET RF 66V 880MHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S9130HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S9130HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6S9130HR5, MRFE6S9130HR5 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 452.86 KB)
PDFMRFE6S9130HSR5 데이터 시트 표지
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MRFE6S9130HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득19.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력27W
전압-정격66V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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이득

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전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

20A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

175W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

M174

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

760MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

BF1009SE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

800MHz

이득

22dB

전압-테스트

9V

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

1.4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

PG-SOT143-4

MRF300AN

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

27MHz ~ 250MHz

이득

18.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

1.88GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

63W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

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