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MRFE6S9130HR3

MRFE6S9130HR3

참조 용

부품 번호 MRFE6S9130HR3
PNEDA 부품 번호 MRFE6S9130HR3
설명 FET RF 66V 880MHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRFE6S9130HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRFE6S9130HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRFE6S9130HR3, MRFE6S9130HR3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 452.86 KB)
PDFMRFE6S9130HSR5 데이터 시트 표지
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MRFE6S9130HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득19.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력27W
전압-정격66V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

21.8dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4.2µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

317W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

SOT502A

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

-

이득

-

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

-

전압-정격

32V

패키지 / 케이스

SOM038

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

SOT1275-3

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz ~ 1.09GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

49A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

200W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PTFA080551F-V4-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

869MHz ~ 960MHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-37265-2

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