MRF8P20160HSR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF8P20160HSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF8P20160HSR5 |
| 설명 | FET RF 2CH 65V 1.92GHZ |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,418 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF8P20160HSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8P20160HSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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MRF8P20160HSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.92GHz |
| 이득 | 16.5dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 550mA |
| 전원-출력 | 37W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S-4 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.496GHz ~ 2.69GHz 이득 14.2dB 전압-테스트 48V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 50W 전압-정격 125V 패키지 / 케이스 NI-780S-4L 공급자 장치 패키지 NI-780S-4L |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 2GHz 이득 17.5dB 전압-테스트 4V 전류 정격 (Amps) 145mA 소음 수치 0.5dB 현재-테스트 60mA 전원-출력 20dBm 전압-정격 5.5V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 SOT-343 |
