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MRF6S19120HR5

MRF6S19120HR5

참조 용

부품 번호 MRF6S19120HR5
PNEDA 부품 번호 MRF6S19120HR5
설명 FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,472
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S19120HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S19120HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S19120HR5, MRF6S19120HR5 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 797.17 KB)
PDFMRF6S19120HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S19120HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득15dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1A
전원-출력19W
전압-정격68V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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전원-출력

27W

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패키지 / 케이스

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주파수

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

750mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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주파수

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이득

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전압-테스트

2.7V

전류 정격 (Amps)

100mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14.4dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz ~ 2.17GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.05A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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