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MRF6S18100NR1

MRF6S18100NR1

참조 용

부품 번호 MRF6S18100NR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S18100NR1
설명 FET RF 68V 1.99GHZ TO2704
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S18100NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S18100NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S18100NR1, MRF6S18100NR1 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 1,221.46 KB)
PDFMRF6S18100NR1 데이터 시트 표지
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MRF6S18100NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득14.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력100W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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주파수

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이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.58GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4L2L

공급자 장치 패키지

NI-780S-4L2L

SD2932B

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

40A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

300W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

M244

공급자 장치 패키지

M244

J304

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PD84010TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

16.3dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

2W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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