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MRF5S9150HR3

MRF5S9150HR3

참조 용

부품 번호 MRF5S9150HR3
PNEDA 부품 번호 MRF5S9150HR3
설명 FET RF 68V 880MHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,248
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 9 - 7월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S9150HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S9150HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S9150HR3, MRF5S9150HR3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 523.85 KB)
PDFMRF5S9150HSR5 데이터 시트 표지
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MRF5S9150HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득19.7dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.5A
전원-출력33W
전압-정격68V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

860MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

90W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121B

공급자 장치 패키지

LDMOST

GTVA263202FC-V1-R2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.62GHz ~ 2.69GHz

이득

17dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

340W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

400MHz

이득

30.5dB

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

0.9dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

200mW

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143R

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