MRF18085ALSR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF18085ALSR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF18085ALSR3 |
| 설명 | FET RF 65V 1.88GHZ NI-780S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,644 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF18085ALSR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF18085ALSR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF18085ALSR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 이득 | 15dB |
| 전압-테스트 | 26V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 800mA |
| 전원-출력 | 85W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 12.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 90W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780 공급자 장치 패키지 NI-780 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz 이득 12.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 25mA 전원-출력 4W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-200S 공급자 장치 패키지 NI-200S |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel JFET 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) 15mA 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 25V 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 10GHz 이득 9dB 전압-테스트 3V 전류 정격 (Amps) 100mA 소음 수치 0.81dB 현재-테스트 20mA 전원-출력 12dBm 전압-정격 5V 패키지 / 케이스 0402 (1005 Metric) 공급자 장치 패키지 0402 |
