MMIX2F60N50P3
참조 용
| 부품 번호 | MMIX2F60N50P3 |
| PNEDA 부품 번호 | MMIX2F60N50P3 |
| 설명 | MOSFET N-CH |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,452 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMIX2F60N50P3 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMIX2F60N50P3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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MMIX2F60N50P3 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | HiPerFET™, Polar3™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 4mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6250pF @ 25V |
| 전력-최대 | 320W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 24-SMD Module, 9 Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 24-SMPD |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.63Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF @ 25V 전력-최대 650mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 1800Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 68mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1270pF @ 10V 전력-최대 650mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-TSST |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 46A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V 전력-최대 1.9W, 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-MLP (3x3) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 98mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 85pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
