MMBTH10LT1
참조 용
| 부품 번호 | MMBTH10LT1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | MMBTH10LT1 | ||||||||||||||||||
| 설명 | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 40,398 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 6월 28 - 7월 3 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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MMBTH10LT1 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMBTH10LT1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
| 데이터 시트 |
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MMBTH10LT1 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 25V |
| 주파수-전환 | 650MHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | 225mW |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 15V 주파수-전환 5.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득 14dB ~ 8.5dB 전력-최대 1W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 70mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대) 210mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 |
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제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 6V 주파수-전환 14.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz 이득 12dB 전력-최대 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 75 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 50mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-253-4, TO-253AA 공급자 장치 패키지 SOT-143 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 65V 주파수-전환 960MHz ~ 1.215GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 6.6dB 전력-최대 1166W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 1mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20A 작동 온도 200°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 55KT 공급자 장치 패키지 55KT |
