MJE350STU
참조 용
| 부품 번호 | MJE350STU |
| PNEDA 부품 번호 | MJE350STU |
| 설명 | TRANS PNP 300V 0.5A TO-126 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,132 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MJE350STU 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MJE350STU |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
| 데이터 시트 |
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MJE350STU 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 500mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 300V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 100µA (ICBO) |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 30 @ 50mA, 10V |
| 전력-최대 | 20W |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-126-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전력-최대 - 주파수-전환 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 1V 전력-최대 625mW 주파수-전환 100MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/461 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 225V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.4V @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30 @ 1A, 5V 전력-최대 3W 주파수-전환 - 작동 온도 -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지 TO-66 (TO-213AA) |
