MIC94030BM4 TR
참조 용
| 부품 번호 | MIC94030BM4 TR |
| PNEDA 부품 번호 | MIC94030BM4-TR |
| 설명 | MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143 |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,892 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MIC94030BM4 TR 리소스
| 브랜드 | Microchip Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MIC94030BM4 TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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MIC94030BM4 TR 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | TinyFET® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 16V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.7V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | 16V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 100pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 568mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-143 |
| 패키지 / 케이스 | TO-253-4, TO-253AA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13.5A (Ta), 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1605pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 175A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 87.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 224nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 13700pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 694W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP4 패키지 / 케이스 SP4 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
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