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MIC4468BWM TR

MIC4468BWM TR

참조 용

부품 번호 MIC4468BWM TR
PNEDA 부품 번호 MIC4468BWM-TR
설명 IC DRIVER MOSF QUAD 1.2A 16-SOIC
제조업체 Microchip Technology
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MIC4468BWM TR 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MIC4468BWM TR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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MIC4468BWM TR 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수4
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.2A, 1.2A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)14ns, 13ns
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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제조업체

Tamura

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

15V ~ 24V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

34-DIP Module, 31 Leads

공급자 장치 패키지

0502

2SB315B-2MBI800U4G-170

Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-1

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IR2135STR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

250mA, 500mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

90ns, 40ns

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

MAX8552EUB+TGC1

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

-

채널 유형

-

드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MAX5054BATA-T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.1V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4A, 4A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

32ns, 26ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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