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MCQ4828A-TP

MCQ4828A-TP

참조 용

부품 번호 MCQ4828A-TP
PNEDA 부품 번호 MCQ4828A-TP
설명 N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-
제조업체 Micro Commercial Co
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MCQ4828A-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MCQ4828A-TP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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MCQ4828A-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs56mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds540pF @ 30V
전력-최대1.25W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

VQ2001P

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

4 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NTMD6P02R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 16V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 25V

전력-최대

65W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-10

FDS8958A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

575pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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