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MC1413BDR2

MC1413BDR2

참조 용

부품 번호 MC1413BDR2
PNEDA 부품 번호 MC1413BDR2
설명 TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MC1413BDR2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MC1413BDR2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
MC1413BDR2, MC1413BDR2 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 185.91 KB)
PDFMC1413DG 데이터 시트 표지
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MC1413BDR2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형7 NPN Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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제조업체

ON Semiconductor

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200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

2µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

380mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

SC-74

SBC857CDW1T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

2 PNP (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

15nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

전력-최대

380mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

MCH6001-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

8V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

전력-최대

600mW

주파수-전환

16GHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-MCPH

2N6987

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

4 PNP (Quad)

전류-수집기 (Ic) (최대)

600mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

1.5W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

TO-116

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual) Common Emitter

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

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장착 유형

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