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MBRB735HE3_A/P

MBRB735HE3_A/P

참조 용

부품 번호 MBRB735HE3_A/P
PNEDA 부품 번호 MBRB735HE3_A-P
설명 DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MBRB735HE3_A/P 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MBRB735HE3_A/P
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
MBRB735HE3_A/P, MBRB735HE3_A/P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 123.43 KB)
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  • MBRB735HE3_A/P Distributor

MBRB735HE3_A/P 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)35V
전류-평균 정류 (Io)7.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If840mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 35V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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공급자 장치 패키지

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Central Semiconductor Corp

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

190µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

240pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DPAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

UF1503S-B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

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FR101G R1G

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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