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LET9150

LET9150

참조 용

부품 번호 LET9150
PNEDA 부품 번호 LET9150
설명 MOSFET N-CH 80V 20A M-246
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

LET9150 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호LET9150
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
LET9150, LET9150 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 319.23 KB)
PDFLET9150 데이터 시트 표지
LET9150 데이터 시트 페이지 2 LET9150 데이터 시트 페이지 3 LET9150 데이터 시트 페이지 4 LET9150 데이터 시트 페이지 5 LET9150 데이터 시트 페이지 6 LET9150 데이터 시트 페이지 7 LET9150 데이터 시트 페이지 8 LET9150 데이터 시트 페이지 9 LET9150 데이터 시트 페이지 10 LET9150 데이터 시트 페이지 11

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  • LET9150 Distributor

LET9150 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득20dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)20A
소음 수치-
현재-테스트600mA
전원-출력150W
전압-정격80V
패키지 / 케이스M246
공급자 장치 패키지M246

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소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

300W

전압-정격

130V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

공급자 장치 패키지

SOT-426

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

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65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

PD85025STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17.3dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

PD85006TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

870MHz

이득

17dB

전압-테스트

13.6V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

5W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

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