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L6747ATR

L6747ATR

참조 용

부품 번호 L6747ATR
PNEDA 부품 번호 L6747ATR
설명 IC MOSFET DRVR 8-VFDFPN
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,322
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

L6747ATR 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호L6747ATR
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
L6747ATR, L6747ATR 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 406.84 KB)
PDFL6747A 데이터 시트 표지
L6747A 데이터 시트 페이지 2 L6747A 데이터 시트 페이지 3 L6747A 데이터 시트 페이지 4 L6747A 데이터 시트 페이지 5 L6747A 데이터 시트 페이지 6 L6747A 데이터 시트 페이지 7 L6747A 데이터 시트 페이지 8 L6747A 데이터 시트 페이지 9 L6747A 데이터 시트 페이지 10 L6747A 데이터 시트 페이지 11

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L6747ATR 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급5V ~ 12V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)3.5A, -
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)41V
상승 / 하강 시간 (일반)-
작동 온도0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-VFDFPN (3x3)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10.2V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

SOT-23-5

IXRFDSM607X2

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

15A, 15A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

4ns, 4ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SMD

공급자 장치 패키지

-

SC1214TSTRT

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

Combi-Sense®

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

9V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

40V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 10ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

20-TSSOP

IRS21091STRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

100ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UCC27322TDGKREP

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 2.7V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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