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KBPM306G

KBPM306G

참조 용

부품 번호 KBPM306G
PNEDA 부품 번호 KBPM306G
설명 BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBPM
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,768
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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KBPM306G 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호KBPM306G
분류반도체다이오드 및 정류기브리지 정류기
데이터 시트
KBPM306G, KBPM306G 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 469.84 KB)
PDFKBPM310G 데이터 시트 표지
KBPM310G 데이터 시트 페이지 2

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KBPM306G 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Single Phase
기술Standard
전압-피크 역방향 (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 3A
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 50V
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스4-SIP, KBPM
공급자 장치 패키지KBPM

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전압-피크 역방향 (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 5A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3.14A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 165°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, KBPM

공급자 장치 패키지

KBPM

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다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

4-SIP, RS-4L

공급자 장치 패키지

RS-4L

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Single Phase

기술

Standard

전압-피크 역방향 (최대)

1kV

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 17.5A

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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