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JDP2S02AFS(TPL3)

JDP2S02AFS(TPL3)

참조 용

부품 번호 JDP2S02AFS(TPL3)
PNEDA 부품 번호 JDP2S02AFS-TPL3
설명 RF DIODE PIN 30V FSC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $1.2015
500 ---------- $1.1452
1,000 ---------- $1.0889
2,500 ---------- $1.0326
5,000 ---------- $0.9856
10,000 ---------- $0.9387
재고 있음 32,793
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JDP2S02AFS(TPL3) 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JDP2S02AFS(TPL3)
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • JDP2S02AFS(TPL3) Distributor

JDP2S02AFS(TPL3) 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.4pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도150°C (TJ)
패키지 / 케이스2-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지fSC

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20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - 1 Pair Series Connection

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.2pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

1.5Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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Schottky - 1 Pair Isolated

전압-피크 역방향 (최대)

70V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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제조업체

Broadcom Limited

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-피크 역방향 (최대)

-

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

패키지 / 케이스

-

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

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