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JANS2N5667

JANS2N5667

참조 용

부품 번호 JANS2N5667
PNEDA 부품 번호 JANS2N5667
설명 TRANS NPN 300V 5A TO-5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,862
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JANS2N5667 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JANS2N5667
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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JANS2N5667 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/455
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대)200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce25 @ 1A, 5V
전력-최대1.2W
주파수-전환-
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-5

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/317

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

450mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

400nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

전력-최대

400mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

UB

FJA13009TU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 3A, 12A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

전력-최대

130W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

TIPL765A-S

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

450V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 2A, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 5V

전력-최대

125W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-218-3

공급자 장치 패키지

SOT-93

2SA1860

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 5A, 4V

전력-최대

80W

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

180V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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