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JAN1N6349US

JAN1N6349US

참조 용

부품 번호 JAN1N6349US
PNEDA 부품 번호 JAN1N6349US
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N6349US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N6349US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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JAN1N6349US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Microsemi Corporation

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15V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

1N5369BRLG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

Axial

1N957B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

4.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 5.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

UDZSTE-173.9B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±3%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

UMD2

2EZ170D2/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

170V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

675 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 130.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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