JAN1N5550US
참조 용
| 부품 번호 | JAN1N5550US |
| PNEDA 부품 번호 | JAN1N5550US |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,596 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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JAN1N5550US 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | JAN1N5550US |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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JAN1N5550US 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 9A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 2µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, B |
| 공급자 장치 패키지 | D-5B |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 100ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 M-FLAT (2.4x3.8) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 SOD-128 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 15V 전류-평균 정류 (Io) 20A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 410mV @ 19A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10mA @ 15V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 9.4A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 884pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-257-3 공급자 장치 패키지 TO-257 작동 온도-접합 -55°C ~ 250°C |
제조업체 Littelfuse Inc. 시리즈 Gen2 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 38A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 16A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
