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JAN1N3595A-1

JAN1N3595A-1

참조 용

부품 번호 JAN1N3595A-1
PNEDA 부품 번호 JAN1N3595A-1
설명 DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,064
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

JAN1N3595A-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호JAN1N3595A-1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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JAN1N3595A-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈Military, MIL-PRF-19500/241
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)125V
전류-평균 정류 (Io)150mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If920mV @ 100mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)3µs
전류-역방향 누설 @ Vr2nA @ 125V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

870mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

45µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

작동 온도-접합

150°C (Max)

SIDC42D170E6X1SA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1700V

전류-평균 정류 (Io)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.15V @ 50A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

27µA @ 1700V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Sawn on foil

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

ES3JHR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BYV12-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

1N6480-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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