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IXZ210N50L2

IXZ210N50L2

참조 용

부품 번호 IXZ210N50L2
PNEDA 부품 번호 IXZ210N50L2
설명 RF MOSFET N-CHANNEL DE275
제조업체 IXYS-RF
단가 견적 요청
재고 있음 6,876
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXZ210N50L2 리소스

브랜드 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXZ210N50L2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
IXZ210N50L2, IXZ210N50L2 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 879.93 KB)
PDFIXZ210N50L2 데이터 시트 표지
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IXZ210N50L2 사양

제조업체IXYS-RF
시리즈Z-MOS™
트랜지스터 유형N-Channel
주파수70MHz
이득17dB
전압-테스트100V
전류 정격 (Amps)10A
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력390W
전압-정격500V
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
공급자 장치 패키지DE275

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전압-테스트

50V

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소음 수치

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현재-테스트

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전원-출력

250W

전압-정격

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Cree/Wolfspeed

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주파수

1.88GHz

이득

17dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.6A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

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제조업체

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

35.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1239B

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

250W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

345mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112A

공급자 장치 패키지

CDFM6

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