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IXYP10N65C3D1M

IXYP10N65C3D1M

참조 용

부품 번호 IXYP10N65C3D1M
PNEDA 부품 번호 IXYP10N65C3D1M
설명 IGBT
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,320
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYP10N65C3D1M 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYP10N65C3D1M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IXYP10N65C3D1M 사양

제조업체IXYS
시리즈XPT™, GenX3™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 10A
전력-최대53W
에너지 전환240µJ (on), 170µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지18nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/77ns
테스트 조건400V, 10A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)26ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220 Isolated Tab

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Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

110µJ (on), 230µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

98nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/100ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

85W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 10A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268AA

IRGP20B60PDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

95µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/115ns

테스트 조건

390V, 13A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

NGTB40N120FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 40A

전력-최대

260W

에너지 전환

2.6mJ (on), 1.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

415nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

130ns/385ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.55mJ (on), 1.55mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

285nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/315ns

테스트 조건

600V, 40A, 9Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

400ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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