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IXYA50N65C3

IXYA50N65C3

참조 용

부품 번호 IXYA50N65C3
PNEDA 부품 번호 IXYA50N65C3
설명 IGBT 650V 130A 600W TO263
제조업체 IXYS
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXYA50N65C3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXYA50N65C3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXYA50N65C3, IXYA50N65C3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 263.7 KB)
PDFIXYA50N65C3 데이터 시트 표지
IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 2 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 3 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 4 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 5 IXYA50N65C3 데이터 시트 페이지 6

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IXYA50N65C3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)130A
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 36A
전력-최대600W
에너지 전환1.3mJ (on), 370µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지80nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/80ns
테스트 조건400V, 36A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전류-수집기 펄스 (Icm)

420A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 50A

전력-최대

660W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/205ns

테스트 조건

960V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

TO-247PLUS-HV

IXGX12N90C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/135ns

테스트 조건

720V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

56A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

400µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

64nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/143ns

테스트 조건

360V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

NGTB30N135IHR1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1350V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 30A

전력-최대

394W

에너지 전환

630µA (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/200ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 펄스 (Icm)

12A

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2.5V @ 15V, 4A

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에너지 전환

110µJ

입력 유형

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게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/116ns

테스트 조건

400V, 4A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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