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IXTQ18N60P

IXTQ18N60P

참조 용

부품 번호 IXTQ18N60P
PNEDA 부품 번호 IXTQ18N60P
설명 MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,750
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTQ18N60P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTQ18N60P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTQ18N60P, IXTQ18N60P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 171.1 KB)
PDFIXTV18N60PS 데이터 시트 표지
IXTV18N60PS 데이터 시트 페이지 2 IXTV18N60PS 데이터 시트 페이지 3 IXTV18N60PS 데이터 시트 페이지 4 IXTV18N60PS 데이터 시트 페이지 5

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IXTQ18N60P 사양

제조업체IXYS
시리즈PolarHV™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs420mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs49nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)360W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3P
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3

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Diodes Incorporated

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

460mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

64.3pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

470mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

690pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta), 15W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-TSON Advance (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

63mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 7.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1405pF @ 125V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 1.8A, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

342pF @ 100V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

27.2W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

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제조업체

ON Semiconductor

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

274pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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