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IXTQ120N20P

IXTQ120N20P

참조 용

부품 번호 IXTQ120N20P
PNEDA 부품 번호 IXTQ120N20P
설명 MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTQ120N20P 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTQ120N20P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTQ120N20P, IXTQ120N20P 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 191.38 KB)
PDFIXTK120N20P 데이터 시트 표지
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IXTQ120N20P 사양

제조업체IXYS
시리즈PolarHT™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs152nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)714W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-3P
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3

관심을 가질만한 제품

PMN48XP,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

530mW (Ta), 6.25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

HUFA75329D3ST

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

UltraFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

128W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252AA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

APT50MC120JCU2

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

71A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

179nC @ 20V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2980pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

NTMSD6N303R2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

FETKY™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 24V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ZVN4525ZTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.65nC @ 10V

Vgs (최대)

±40V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

72pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

패키지 / 케이스

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최근 판매

S2B-13-F

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TVS DIODE 5V 7.7V SOT23-6L

LTV-817S-TA1-D

LTV-817S-TA1-D

Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

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USB2642-I/ML

USB2642-I/ML

Microchip Technology

IC FLASH MEDIA CTLR USB2 48VQFN

ADM2587EBRWZ-REEL7

ADM2587EBRWZ-REEL7

Analog Devices

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AT45DB321D-SU

AT45DB321D-SU

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IC FLASH 32M SPI 66MHZ 8SOIC

SMLP34RGB2W3

SMLP34RGB2W3

Rohm Semiconductor

LED RGB DIFFUSED PICOLED SMD