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IXTP12N65X2

IXTP12N65X2

참조 용

부품 번호 IXTP12N65X2
PNEDA 부품 번호 IXTP12N65X2
설명 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,748
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IXTP12N65X2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTP12N65X2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXTP12N65X2 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1100pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)180W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220
패키지 / 케이스TO-220-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 14.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

136nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5890pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IPI70N04S406AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 26µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

58W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO262-3

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

STP20NF20

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

940pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

STP23NM50N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1330pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

CSD18510Q5BT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.96mOhm @ 32A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

153nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11400pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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패키지 / 케이스

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NFE31PT220R1E9L

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ADG1433YRUZ

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74438356150

74438356150

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WSL25122L000FEA

WSL25122L000FEA

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RES 0.002 OHM 1% 1W 2512