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IXTN200N10L2

IXTN200N10L2

참조 용

부품 번호 IXTN200N10L2
PNEDA 부품 번호 IXTN200N10L2
설명 MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
제조업체 IXYS
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재고 있음 7,620
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTN200N10L2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTN200N10L2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTN200N10L2, IXTN200N10L2 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 170.37 KB)
PDFIXTN200N10L2 데이터 시트 표지
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IXTN200N10L2 사양

제조업체IXYS
시리즈Linear L2™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)178A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs540nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds23000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)830W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227B
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

170pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN3042L-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

860pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

720mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SPA17N80C3XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

177nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

CSD16321Q5

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

3V, 8V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+10V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3100pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FQA36P15

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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FET 유형

P-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

294W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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