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IXTC250N075T

IXTC250N075T

참조 용

부품 번호 IXTC250N075T
PNEDA 부품 번호 IXTC250N075T
설명 MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220
제조업체 IXYS
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IXTC250N075T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTC250N075T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXTC250N075T, IXTC250N075T 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 143.34 KB)
PDFIXTC250N075T 데이터 시트 표지
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IXTC250N075T 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)128A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)160W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지ISOPLUS220™
패키지 / 케이스ISOPLUS220™

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.4A (Ta), 78A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 78A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta), 64W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

66mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.465nF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

DMN62D0U-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

380mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPP90N04S402AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 95µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9430pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-220-3

NDT455N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1220pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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