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IXTA44N25T

IXTA44N25T

참조 용

부품 번호 IXTA44N25T
PNEDA 부품 번호 IXTA44N25T
설명 MOSFET N-CH 250V 44A TO-263
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXTA44N25T 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXTA44N25T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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IXTA44N25T 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263 (IXTA)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 190µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

761pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

24W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220 Full Pack

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

APTC60SKM35T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

416W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SP1

패키지 / 케이스

SP1

IPP80N06S207AKSA4

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 180µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI3460DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SSM3J375F,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+6V, -8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

S-Mini

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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