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IXSH30N60B

IXSH30N60B

참조 용

부품 번호 IXSH30N60B
PNEDA 부품 번호 IXSH30N60B
설명 IGBT 600V 55A 200W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 14 - 7월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXSH30N60B 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXSH30N60B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXSH30N60B, IXSH30N60B 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 131.51 KB)
PDFIXST30N60B 데이터 시트 표지
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IXSH30N60B 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)55A
전류-수집기 펄스 (Icm)110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
전력-최대200W
에너지 전환1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/150ns
테스트 조건480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXSH)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

전력-최대

192W

에너지 전환

3.4mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

89ns/235ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IXBF32N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

SGH80N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

195W

에너지 전환

570µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/90ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

RGTH80TK65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

66W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/120ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.35mJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

88nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/110ns

테스트 조건

700V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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