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IXGT30N60B2D1

IXGT30N60B2D1

참조 용

부품 번호 IXGT30N60B2D1
PNEDA 부품 번호 IXGT30N60B2D1
설명 IGBT 600V 70A 190W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,770
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGT30N60B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGT30N60B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGT30N60B2D1, IXGT30N60B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 504.01 KB)
PDFIXGT30N60B2D1 데이터 시트 표지
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IXGT30N60B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 24A
전력-최대190W
에너지 전환320µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지66nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/110ns
테스트 조건400V, 24A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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IXYS

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

145A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 30A

전력-최대

500W

에너지 전환

2.6mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

69nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/130ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IGP30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

전력-최대

188W

에너지 전환

280µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/177ns

테스트 조건

400V, 15A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

AOK40B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 40A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.3mJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

59nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/125ns

테스트 조건

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

365ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

APT64GA90LD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

117A

전류-수집기 펄스 (Icm)

193A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

전력-최대

500W

에너지 전환

1192µJ (on), 1088µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

162nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/131ns

테스트 조건

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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