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IXGJ40N60C2D1

IXGJ40N60C2D1

참조 용

부품 번호 IXGJ40N60C2D1
PNEDA 부품 번호 IXGJ40N60C2D1
설명 IGBT 600V 75A 300W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,310
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 30 - 7월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGJ40N60C2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGJ40N60C2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGJ40N60C2D1, IXGJ40N60C2D1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 170.25 KB)
PDFIXGT40N60C2D1 데이터 시트 표지
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IXGJ40N60C2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
전력-최대300W
에너지 전환200µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/90ns
테스트 조건400V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3, Short Tab
공급자 장치 패키지TO-268

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Rohm Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

326W

에너지 전환

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

58nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/115ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

STGF5H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 5A

전력-최대

24W

에너지 전환

56µJ (on), 78.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

43nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/140ns

테스트 조건

400V, 5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

134.5ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

63-7000PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전력-최대

830W

에너지 전환

10mJ (on), 33mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/490ns

테스트 조건

960V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

NGB8206N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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D2PAK

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