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IXGH15N120B2D1

IXGH15N120B2D1

참조 용

부품 번호 IXGH15N120B2D1
PNEDA 부품 번호 IXGH15N120B2D1
설명 IGBT 1200V 30A 192W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 6,642
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH15N120B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH15N120B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH15N120B2D1, IXGH15N120B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 70.66 KB)
PDFIXGH15N120B2D1 데이터 시트 표지
IXGH15N120B2D1 데이터 시트 페이지 2

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IXGH15N120B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 15A
전력-최대192W
에너지 전환1.4mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지86nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/165ns
테스트 조건960V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)165ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

29A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

전력-최대

80W

에너지 전환

600µJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

테스트 조건

480V, 10A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

NGTB45N60S1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.25mJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/132ns

테스트 조건

400V, 45A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

FGPF7N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

전력-최대

41W

에너지 전환

230µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/60ns

테스트 조건

300V, 7A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

65ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

HGTG18N120BND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

전력-최대

390W

에너지 전환

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/170ns

테스트 조건

960V, 18A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGB25N40LZAG

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

435V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

26nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.1µs/4.6µs

테스트 조건

300V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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TX1475NL

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SRR0735A-100M

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